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分子束外延殘余氣體分析四極質譜儀

A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications.

Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.

HALO 201 MBE 分子束外延殘余氣體分析四極質譜儀用于泄漏探測、趨勢分析、真空診斷的過程監測和殘余氣體的精確分析。

該分子束外延特定分析質譜儀由兼容性材料組成,并能在分子束外延環境中長期使用。

 

·鉬銅布線增加MBE環境下系統的壽命

·抗污染離子源護罩

·雙法拉第/ channelplate電子倍增器

 

·質量數范圍:   1300 amu

·掃描速度:      100amu/s

·最小掃描步階:0.01amu

·靈敏度:         0.1 ppm1ppm

·穩定性:         24h以上,峰高變化小于±0.5%

·最小檢測分壓:2 x 10-13 mbar

·最大工作壓力:1 x 10-4 mbar

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